ลักษณะ
ทรานซิสเตอร์มอสเฟท
สถานที่กำเนิด
Guangdong, China
อุณหภูมิในการทำงาน
มาตรฐาน
Series
ทรานซิสเตอร์มอสเฟท
ประเภทผู้ผลิต
ผู้ผลิตดั้งเดิม
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด)
มาตรฐาน
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
มาตรฐาน
Current-Collector CUTOFF (MAX)
มาตรฐาน
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE
มาตรฐาน
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน
มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน
Standard
ตัวต้านทาน-ฐาน (R1)
มาตรฐาน
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2)
มาตรฐาน
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
มาตรฐาน
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
มาตรฐาน
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
มาตรฐาน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
มาตรฐาน
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
มาตรฐาน
การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์)
มาตรฐาน
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)
มาตรฐาน
VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ VCE
มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS)
มาตรฐาน
Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
มาตรฐาน
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX
มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id
มาตรฐาน
ความต้านทาน-RDS (On)
มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-เอาต์พุต
มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT)
มาตรฐาน
Current-ประตู Anode รั่ว (Igao)
มาตรฐาน
Current-Valley (IV)
มาตรฐาน
ประเภททรานซิสเตอร์
มาตรฐาน
การชำระเงิน
T\\paypal \ สหภาพตะวันตก \ การประกันการซื้อขาย
ชื่อผลิตภัณฑ์
ทรานซิสเตอร์ IGBT
ผู้จำหน่าย
Shenzhen chenyuan Technology Co., Ltd
ระยะเวลารอคอยสินค้า
1-3วัน
